+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
M28W640HCB70N6E

Micron Technology Inc.

M28W640HCB70N6E

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Parça Durumu
Obsolete
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
JESD-609 Kodu
e3
Gerilim
2.7V
Toggle Bit
NO
Common Flash Interface
YES
Memory Format
FLASH
Power Supplies
3/3.3V
ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Number Of Sectorssize
8127
Write Cycle Time Word Page
70ns
Besleme Gerilimi
3V
HTS Kodu
8542.32.00.51
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Yüzey Montaj
YES
Organization
4MX16
Terminal Kaplaması
MATTE TIN
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Yayın Yılı
2008
Memory Size
64Mb 4M x 16
Density
64 Mb
Radyasyon Dayanımı
No
Sector Size
4K32K
Ambalaj
Bulk
Nominal Supply Current
18mA
Additional Feature
BOTTOM BOOT BLOCK
Memory Interface
Parallel
Syncasync
Asynchronous
Page Size
4words
Data Polling
NO
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Fonksiyon Sayısı
1
Word Size
16b
Command User Interface
YES
Pin Sayısı
48
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Memory Width
16
Kurşunsuz Kodu
yes
Pin Sayısı
48
Kılıf / Paket
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek