Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e4
- Gerilim
- 2.3V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Data Retention Timemin
- 20
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.B.1
- Memory Format
- FLASH
- Power Supplies
- 2.5/3.3V
- Besleme Gerilimi
- 2.7V
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Serial Bus Type
- SPI
- Write Cycle Time Word Page
- 15ms, 5ms
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Access Time
- 8 ns
- Yükseklik
- 1.75mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yüzey Montaj
- YES
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Yayın Yılı
- 2001
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Genişlik
- 3.9mm
- Ambalaj
- Tube
- Interface
- SPI, Serial
- Density
- 4 Mb
- Nominal Supply Current
- 8mA
- Page Size
- 256B
- Clock Frequency
- 75MHz
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Memory Interface
- SPI
- Syncasync
- Synchronous
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Word Size
- 8b
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Pin Sayısı
- 8
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Address Bus Width
- 1b
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory