Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.3V
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.14V
- Contact Plating
- Copper, Silver, Tin
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Besleme Gerilimi
- 1.14V~1.95V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 1.2V
- Terminal Sayısı
- 134
- Uzunluk
- 11.5mm
- Access Mode
- SINGLE BANK PAGE BURST
- JESD-609 Kodu
- e1
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Yayın Yılı
- 2008
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Size
- 1Gb 32M x 32
- Kılıf / Paket
- 134-VFBGA
- Operating Supply Voltage
- 1.2V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Address Bus Width
- 13b
- Pin Sayısı
- 134
- Additional Feature
- SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Width
- 32
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TC
- Parça Durumu
- Last Time Buy
- Memory Types
- Volatile
- Memory Format
- DRAM
- Ambalaj
- Bulk
- Density
- 1 Gb
- Max Frequency
- 533MHz
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Organization
- 32MX32
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Number Of Ports
- 1
- Data Bus Width
- 32b
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory