Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Seated Heightmax
- 1.2 mm
- Reflow Temperaturemax S
- 30
- JESD-609 Kodu
- e1
- Operating Temperaturemax
- 95 °C
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9 V
- Ihs Manufacturer
- MICRON TECHNOLOGY INC
- Number Of Words Code
- 32000000
- HTS Kodu
- 8542.32.00.32
- Genişlik
- 11 mm
- Access Mode
- MULTI BANK PAGE BURST
- Clock Frequencymax Fclk
- 400 MHz
- Memory Ic Type
- DDR DRAM
- Memory Width
- 18
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Access Timemax
- 15 ns
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Qualification Status
- Not Qualified
- Number Of Ports
- 1
- Package Shape
- RECTANGULAR
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B144
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Memory Density
- 603979776 bit
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7 V
- Part Life Cycle Code
- Obsolete
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Formu
- BALL
- Supply Currentmax
- 0.98 mA
- Rohs Code
- Yes
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Risk Rank
- 5.73
- Number Of Terminals
- 144
- Pin Sayısı
- 144
- Terminal Adımı
- 1 mm
- Package Style
- GRID ARRAY, THIN PROFILE
- Technology
- CMOS
- Additional Feature
- AUTO REFRESH
- Üretici Parça No
- MT49H32M18CBM-25E:A
- Standby Currentmax
- 0.053 A
- Temperature Grade
- OTHER
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

