Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$6.01
- 10+ adet$5.67
- 100+ adet$5.35
- 500+ adet$5.04
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Density
- 64 Mb
- Address Bus Width
- 22b
- Number Of Sectorssize
- 8127
- JESD-609 Kodu
- e3
- Standby Currentmax
- 0.00004A
- Access Time
- 70ns
- Radyasyon Dayanımı
- No
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Seri
- SST38
- Programming Voltage
- 2.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Sayısı
- 48
- Parça Durumu
- Active
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Memory Format
- FLASH
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Page Size
- 16B
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Sector Size
- 4K32K
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Yayın Yılı
- 2013
- Boot Block
- TOP
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 48
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Organization
- 4MX16
- Readybusy
- YES
- Data Polling
- YES
- Supply Currentmax
- 0.05mA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Size
- 64Mb 4M x 16
- Memory Width
- 16
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Write Cycle Time Word Page
- 10μs
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory