
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 1.5ms
- Programming Voltage
- 3V
- Genişlik
- 5mm
- Temel Parça No
- SST26VF064
- Memory Size
- 64Mb 8M x 8
- Seri
- SST26 SQI®
- Radyasyon Dayanımı
- No
- JESD-609 Kodu
- e3
- Clock Frequency
- 104MHz
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Yüzey Montaj
- YES
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Screening Level
- TS 16949
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Parça Durumu
- Active
- Ambalaj
- Tube
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Usage Level
- Automotive grade
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.8mm
- Organization
- 64MX1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Format
- FLASH
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Page Size
- 256B
- Uzunluk
- 6mm
- Density
- 64 Mb
- Memory Width
- 1
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

