
Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$4.13
- 10+ adet$3.89
- 100+ adet$3.67
- 500+ adet$3.46
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Currentmax
- 0.025mA
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.8mm
- Organization
- 16MX1
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Memory Format
- FLASH
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Standby Currentmax
- 0.000025A
- Uzunluk
- 6mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Boot Block
- BOTTOM/TOP
- Memory Width
- 1
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Interface
- SPI
- Serial Bus Type
- SPI
- Seri
- SST26 SQI®
- Memory Size
- 16Mb 2M x 8
- Temel Parça No
- SST26VF016B
- Data Retention Timemin
- 100
- Programming Voltage
- 2.7V
- Genişlik
- 5mm
- Write Cycle Time Word Page
- 1.5ms
- Parallelserial
- SERIAL
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Memory Density
- 16777216 bit
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Yüzey Montaj
- YES
- Clock Frequency
- 104MHz
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- JESD-609 Kodu
- e3
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Parça Durumu
- Active
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

