Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 8
- Programming Voltage
- 2.7V
- Write Cycle Time Word Page
- 1.5ms
- Memory Size
- 16Mb 2M x 8
- Max Supply Current
- 18mA
- Write Protection
- SOFTWARE
- JESD-609 Kodu
- e3
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Reach Svhc
- No SVHC
- Syncasync
- Synchronous
- Page Size
- 256B
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Density
- 16 Mb
- Nominal Supply Current
- 18mA
- Address Bus Width
- 1b
- Data Bus Width
- 8b
- Serial Bus Type
- SPI
- Interface
- SPI, Serial
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Pin Sayısı
- 8
- Seri
- SST26 SQI®
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Temel Parça No
- SST26VF016
- Data Retention Timemin
- 100
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Access Time
- 6 ns
- Clock Frequency
- 80MHz
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Ambalaj
- Tube
- Terminal Sayısı
- 8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory