Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Address Bus Width
- 24b
- Density
- 2 Mb
- Memory Width
- 1
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Interface
- SPI, Serial
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Organization
- 2MX1
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Memory Interface
- SPI
- Memory Format
- FLASH
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Uzunluk
- 6mm
- Page Size
- 256B
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Parça Durumu
- Active
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Yayın Yılı
- 2013
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 8
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~1.95V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Seri
- SST25
- Memory Size
- 2Mb 256K x 8
- Temel Parça No
- SST25WF020
- Pin Sayısı
- 8
- Write Cycle Time Word Page
- 3.5ms
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.95V
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Yüzey Montaj
- YES
- Clock Frequency
- 40MHz
- JESD-609 Kodu
- e3
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory