SST25VF080B-50-4I-S2AE-T

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Seri

SST25

Memory Size

8Mb 1M x 8

Temel Parça No

SST25VF080B

Pin Sayısı

8

Write Cycle Time Word Page

10μs

Genişlik

5.275mm

Programming Voltage

2.7V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)

Supply Voltagemin Vsup

2.7V

Yüzey Montaj

YES

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

JESD-609 Kodu

e3

Clock Frequency

50MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

8

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Yayın Yılı

2010

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Besleme Gerilimi

2.7V~3.6V

Terminal Adımı

1.27mm

Memory Types

Non-Volatile

Maks. Oturma Yüksekliği

2.16mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Uzunluk

5.275mm

Fonksiyon Sayısı

1

Memory Interface

SPI

Memory Format

FLASH

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Memory Width

1

Density

8 Mb

Interface

SPI, Serial

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Operating Supply Voltage

3.3V

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)