Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Write Cycle Time Word Page
- 10μs
- Pin Sayısı
- 8
- Data Retention Timemin
- 100
- Temel Parça No
- SST25VF040B
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Seri
- SST25
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- JESD-609 Kodu
- e3
- Clock Frequency
- 80MHz
- Access Time
- 8 ns
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Yüzey Montaj
- YES
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 8
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Yayın Yılı
- 2005
- Parça Durumu
- Obsolete
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Organization
- 4MX1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Types
- Non-Volatile
- Word Size
- 8b
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Syncasync
- Synchronous
- Standby Currentmax
- 0.00002A
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Format
- FLASH
- Memory Interface
- SPI
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Density
- 4 Mb
- Memory Width
- 1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory