Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Clock Frequency
- 50MHz
- Access Time
- 8 ns
- JESD-609 Kodu
- e3
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Seri
- SST25
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Temel Parça No
- SST25VF040B
- Genişlik
- 4mm
- Programming Voltage
- 2.7V
- Write Cycle Time Word Page
- 10μs
- Pin Sayısı
- 8
- Parallelserial
- SERIAL
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 8
- Ambalaj
- Tube
- Parça Durumu
- Active
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Yayın Yılı
- 1998
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Uzunluk
- 5mm
- Montaj
- Surface Mount
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Yükseklik
- 1.75mm
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Memory Format
- FLASH
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Interface
- SPI
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Organization
- 4MX1
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory