Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 3 Weeks
- Yayın Yılı
- 2010
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Parça Durumu
- Active
- Ambalaj
- Tube
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 8
- Access Time
- 8 ns
- Clock Frequency
- 50MHz
- JESD-609 Kodu
- e3
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
- Genişlik
- 5.4mm
- Programming Voltage
- 2.7V
- Write Cycle Time Word Page
- 10μs
- Pin Sayısı
- 8
- Seri
- SST25
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Temel Parça No
- SST25VF040B
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Interface
- SPI, Serial
- Density
- 4 Mb
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Memory Interface
- SPI
- Memory Format
- FLASH
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Yükseklik
- 1.91mm
- Uzunluk
- 5.4mm
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Organization
- 4MX1
- Memory Types
- Non-Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory