Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- JESD-609 Kodu
- e3
- Clock Frequency
- 20MHz
- Access Time
- 23 ns
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Write Cycle Time Word Page
- 20μs
- Pin Sayısı
- 8
- Data Retention Timemin
- 100
- Temel Parça No
- SST25VF020
- Memory Size
- 2Mb 256K x 8
- Seri
- SST25
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Yayın Yılı
- 2004
- Parça Durumu
- Active
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 8
- Memory Interface
- SPI
- Memory Format
- FLASH
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Syncasync
- Synchronous
- Montaj
- Surface Mount
- Standby Currentmax
- 0.000015A
- Word Size
- 8b
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Types
- Non-Volatile
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Data Bus Width
- 8b
- Serial Bus Type
- SPI
- Interface
- SPI, Serial
- Address Bus Width
- 18b
- Nominal Supply Current
- 10mA
- Memory Width
- 8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory