Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~3.6V
- Reverse Pinout
- NO
- Fabrika Tedarik Süresi
- 1 Weeks
- Parça Durumu
- Active
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Terminal Sayısı
- 8
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tube
- Yüzey Montaj
- YES
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Memory Density
- 4194304 bit
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Clock Frequency
- 40MHz
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Data Retention Timemin
- 20
- Seri
- SST25
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Temel Parça No
- SST25PF040C
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Parallelserial
- SERIAL
- Genişlik
- 3.9mm
- Programming Voltage
- 3.3V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Serial Bus Type
- SPI
- Memory Width
- 1
- Memory Interface
- SPI
- Memory Format
- FLASH
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Standby Currentmax
- 0.00001A
- Uzunluk
- 4.9mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Supply Currentmax
- 0.015mA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory