Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- EEPROM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Organization
- 256X16
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Kılıf / Paket
- 8-UFDFN Exposed Pad
- Memory Size
- 4Kb 512 x 8 256 x 16
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Density
- 4096 bit
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Memory Width
- 16
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Alternate Memory Width
- 8
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Additional Feature
- ALSO OPERATES AT MIN 1.8 V AT 250 KHZ
- Memory Types
- Non-Volatile
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Terminal Sayısı
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Yayın Yılı
- 2010
- Parallelserial
- SERIAL
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- JESD-609 Kodu
- e4
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Uzunluk
- 3mm
- Yüzey Montaj
- YES
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.6mm
- Memory Interface
- SPI
- Clock Frequency
- 2MHz
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Genişlik
- 2mm
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory