Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 10ms
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fabrika Tedarik Süresi
- 11 Weeks
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yayın Yılı
- 1997
- Parça Durumu
- Active
- Organization
- 128KX8
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.465V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Programming Voltage
- 3V
- Genişlik
- 8mm
- Memory Interface
- Parallel
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Memory Density
- 1048576 bit
- Memory Types
- Non-Volatile
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Uzunluk
- 18.4mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G32
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Terminal Sayısı
- 32
- Write Cycle Timemax Twc
- 10ms
- Memory Width
- 8
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Access Time
- 200ns
- Kılıf / Paket
- 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TC
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Memory Format
- EEPROM
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory