Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Genişlik
- 7.5mm
- Memory Width
- 8
- Uzunluk
- 17.9mm
- Memory Density
- 262144 bit
- Supply Voltagemin Vsup
- 4.5V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TC
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Yayın Yılı
- 1997
- Write Cycle Time Word Page
- 10ms
- Write Cycle Timemax Twc
- 10ms
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G28
- Organization
- 32KX8
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Size
- 256Kb 32K x 8
- Fabrika Tedarik Süresi
- 14 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Yüzey Montaj
- YES
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Parça Durumu
- Active
- Memory Interface
- Parallel
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.65mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 2 (1 Year)
- Programming Voltage
- 5V
- Memory Format
- EEPROM
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Sayısı
- 28
- Memory Types
- Non-Volatile
- Access Time
- 70ns
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Besleme Gerilimi
- 5V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory