Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$47.28
- 10+ adet$44.61
- 100+ adet$42.08
- 500+ adet$39.70
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Timemax Twc
- 3ms
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Terminal Adımı
- 2.54mm
- Write Cycle Time Word Page
- 3ms
- Yayın Yılı
- 1997
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~125°C TC
- Supply Voltagemin Vsup
- 4.5V
- Memory Density
- 262144 bit
- Additional Feature
- AUTOMATIC WRITE
- Uzunluk
- 37.215mm
- Memory Width
- 8
- Genişlik
- 15.24mm
- Yüzey Montaj
- NO
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Memory Size
- 256Kb 32K x 8
- Fabrika Tedarik Süresi
- 23 Weeks
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Organization
- 32KX8
- Ambalaj
- Tube
- Jesd30 Code
- R-GDIP-T28
- Memory Format
- EEPROM
- Terminal Sayısı
- 28
- Screening Level
- MIL-STD-883 Class B
- Programming Voltage
- 5V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 5.72mm
- Memory Interface
- Parallel
- Parça Durumu
- Active
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- 28-CDIP (0.600, 15.24mm)
- Usage Level
- Military grade
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Access Time
- 150ns
- Memory Types
- Non-Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory