Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.54mm
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Kılıf / Paket
- 8-XFBGA, WLCSP
- Memory Types
- Non-Volatile
- Power Supplies
- 1.8/5V
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Additional Feature
- ALSO OPERATES AT 1.7 V AND 2.5 V AT 5 MHZ AND 10 MHZ RESPECTIVELY
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Memory Interface
- SPI
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Serial Bus Type
- SPI
- Max Frequency
- 20MHz
- Access Time
- 20 ns
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Interface
- SPI, Serial
- Standby Currentmax
- 0.000003A
- Memory Width
- 8
- Memory Format
- EEPROM
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Density
- 1 Mb
- JESD-609 Kodu
- e1
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Adımı
- 0.43mm
- Organization
- 128KX8
- Data Retention Timemin
- 100
- Jesd30 Code
- X-PBGA-B8
- Contact Plating
- Copper, Silver, Tin
- Montaj
- Surface Mount
- Supply Voltagemin Vsup
- 4.5V
- Yayın Yılı
- 2005
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory