Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.6mm
- Kılıf / Paket
- 8-UFDFN Exposed Pad
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Power Supplies
- 2/5V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Parça Durumu
- Active
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Memory Interface
- SPI
- Serial Bus Type
- SPI
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Clock Frequency
- 20MHz
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Interface
- SPI, Serial
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Nominal Supply Current
- 10mA
- Access Time
- 80 ns
- Standby Currentmax
- 5e-7A
- Memory Width
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Density
- 4 kb
- Memory Format
- EEPROM
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- JESD-609 Kodu
- e4
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Data Retention Timemin
- 100
- Genişlik
- 2mm
- Montaj
- Surface Mount
- Pin Sayısı
- 8
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Memory Size
- 4Kb 512 x 8
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory