Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Parallelserial
- SERIAL
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Interface
- I2C, Single Wire
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Yayın Yılı
- 2005
- JESD-609 Kodu
- e3
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Size
- 1Kb 128 x 8
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G3
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Density
- 1024 bit
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Sayısı
- 3
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Memory Format
- EEPROM
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Uzunluk
- 2.9mm
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~3.6V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 8
- Temel Parça No
- AT21CS01
- Organization
- 128X8
- Genişlik
- 1.3mm
- Serial Bus Type
- 1-WIRE
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Clock Frequency
- 125kHz
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.12mm
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TC
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory