Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~6.0V
- Memory Size
- 16Kb 2K x 8 1K x 16
- Data Retention Timemin
- 200
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Power Supplies
- 3/5V
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Supply Voltagemax Vsup
- 6V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Format
- EEPROM
- Access Time
- 3 μs
- Standby Currentmax
- 0.00003A
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Density
- 16 kb
- Temel Parça No
- 93LC86
- Uzunluk
- 4.9mm
- Pin Sayısı
- 8
- Clock Frequency
- 3MHz
- Terminal Sayısı
- 8
- Pin Sayısı
- 8
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Contact Plating
- Tin
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Width
- 16
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Alternate Memory Width
- 8
- Interface
- Serial
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory