Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- EEPROM
- JESD-609 Kodu
- e3
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Pin Sayısı
- 6
- Uzunluk
- 2.95mm
- Density
- 16 kb
- Temel Parça No
- 93LC86A
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Access Time
- 100 ns
- Memory Size
- 16Kb 2K x 8
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Power Supplies
- 3/5V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Data Retention Timemin
- 200
- Memory Interface
- SPI
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Interface
- Serial
- Write Protection
- SOFTWARE
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 0.95mm
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Width
- 8
- Kılıf / Paket
- SOT-23-6
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.45mm
- Yayın Yılı
- 2005
- Organization
- 2KX8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory