Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Data Retention Timemin
- 200
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Power Supplies
- 3/5V
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Memory Size
- 8Kb 1K x 8 512 x 16
- Access Time
- 100 ns
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Density
- 8 kb
- Temel Parça No
- 93LC76C
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Uzunluk
- 4.4mm
- Pin Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Ambalaj
- Tube
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Format
- EEPROM
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Contact Plating
- Tin
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Clock Frequency
- 3MHz
- Terminal Sayısı
- 8
- Pin Sayısı
- 8
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Serial Bus Type
- MICROWIRE
- Organization
- 512X16
- Yayın Yılı
- 2011
- Genişlik
- 3mm
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory