Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Data Retention Timemin
- 200
- Power Supplies
- 3/5V
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Memory Size
- 4Kb 512 x 8 256 x 16
- Access Time
- 200 ns
- Nominal Supply Current
- 2mA
- Density
- 4 kb
- Temel Parça No
- 93LC66C
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Pin Sayısı
- 8
- Uzunluk
- 4.9mm
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Format
- EEPROM
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Contact Plating
- Tin
- Terminal Sayısı
- 8
- Clock Frequency
- 3MHz
- Pin Sayısı
- 8
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Organization
- 256X16
- Serial Bus Type
- MICROWIRE
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Genişlik
- 3.9mm
- Yayın Yılı
- 2011
- Write Cycle Time Word Page
- 6ms
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory