Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Parça Durumu
- Discontinued
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Data Retention Timemin
- 200
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Memory Size
- 4Kb 256 x 16
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Uzunluk
- 3mm
- Pin Sayısı
- 8
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Nominal Supply Current
- 2mA
- Temel Parça No
- 93LC66B
- Density
- 4 kb
- Access Time
- 250 ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Format
- EEPROM
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Contact Plating
- Tin
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Pin Sayısı
- 8
- Clock Frequency
- 2MHz
- Terminal Sayısı
- 8
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Kılıf / Paket
- 8-VFDFN Exposed Pad
- Write Cycle Time Word Page
- 6ms
- Genişlik
- 2.9mm
- Yayın Yılı
- 2008
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Serial Bus Type
- MICROWIRE
- Organization
- 256X16
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory