Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Format
- EEPROM
- JESD-609 Kodu
- e3
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Ambalaj
- Tube
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Supply Voltagemax Vsup
- 6V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Pin Sayısı
- 8
- Uzunluk
- 4.4mm
- Access Time
- 6 ms
- Nominal Supply Current
- 1.5mA
- Temel Parça No
- 93LC66B
- Density
- 4 kb
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Memory Size
- 4Kb 256 x 16
- Operating Supply Voltage
- 5.5V
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Power Supplies
- 3/5V
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Data Retention Timemin
- 200
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Interface
- SPI
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Memory Width
- 16
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Interface
- 2-Wire, Serial
- Write Protection
- SOFTWARE
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Organization
- 256X16
- Serial Bus Type
- MICROWIRE
- Additional Feature
- 1000000 ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 200 YEARS
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.1mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory