Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Size
- 4Kb 512 x 8
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Power Supplies
- 3/5V
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Data Retention Timemin
- 200
- Memory Format
- EEPROM
- JESD-609 Kodu
- e3
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Fabrika Tedarik Süresi
- 2 Weeks
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Pin Sayısı
- 8
- Uzunluk
- 3mm
- Nominal Supply Current
- 2mA
- Density
- 4 kb
- Temel Parça No
- 93LC66A
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Access Time
- 250 ns
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Pin Sayısı
- 8
- Terminal Sayısı
- 8
- Clock Frequency
- 2MHz
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Contact Plating
- Tin
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Interface
- SPI
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- ECCN Kodu
- EAR99
- Write Cycle Timemax Twc
- 6ms
- Interface
- Serial
- Write Protection
- SOFTWARE
- Memory Width
- 8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory