Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 6ms
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Interface
- Serial
- Parça Durumu
- Active
- Yayın Yılı
- 2008
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Pin Sayısı
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Size
- 2Kb 256 x 8
- Clock Frequency
- 2MHz
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Interface
- SPI
- Genişlik
- 2mm
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Write Protection
- SOFTWARE
- Memory Types
- Non-Volatile
- Nominal Supply Current
- 2mA
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Montaj
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Uzunluk
- 3mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Data Retention Timemin
- 200
- Memory Width
- 8
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Write Cycle Timemax Twc
- 6ms
- Access Time
- 250 ns
- Kılıf / Paket
- 8-VFDFN Exposed Pad
- Temel Parça No
- 93LC56A
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Pin Sayısı
- 8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory