Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yayın Yılı
- 2001
- Parça Durumu
- Active
- Interface
- 2-Wire, Serial
- Clock Frequency
- 2MHz
- Pin Sayısı
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Interface
- SPI
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Write Protection
- SOFTWARE
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 2.7V
- Additional Feature
- 1000000 ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 200 YEARS
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Pin Sayısı
- 8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Contact Plating
- Tin
- ECCN Kodu
- EAR99
- Density
- 1 kb
- Serial Bus Type
- MICROWIRE
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Operating Supply Voltage
- 5.5V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Organization
- 64X16
- Memory Size
- 1Kb 64 x 16
- Supply Voltagemax Vsup
- 6V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Nominal Supply Current
- 2mA
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Montaj
- Surface Mount
- Power Supplies
- 3/5V
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Temel Parça No
- 93LC46B
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory