Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.48
- 10+ adet$0.45
- 100+ adet$0.43
- 500+ adet$0.40
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- JESD-609 Kodu
- e3
- Parça Durumu
- Active
- Interface
- Serial
- Yükseklik
- 850μm
- Clock Frequency
- 2MHz
- Pin Sayısı
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Genişlik
- 3mm
- Memory Interface
- SPI
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Terminal
- SMD/SMT
- Write Protection
- SOFTWARE
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Uzunluk
- 3mm
- Write Cycle Timemax Twc
- 6ms
- Ambalaj
- Tube
- Pin Sayısı
- 8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 2 (1 Year)
- Contact Plating
- Tin
- ECCN Kodu
- EAR99
- Density
- 1 kb
- Serial Bus Type
- MICROWIRE
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Reach Svhc
- No SVHC
- Write Cycle Time Word Page
- 6ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Size
- 1Kb 128 x 8
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Nominal Supply Current
- 2mA
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Montaj
- Surface Mount
- Power Supplies
- 3/5V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory