Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Contact Plating
- Tin
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Interface
- 2-Wire, Serial
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Temel Parça No
- 93C46B
- Density
- 1 kb
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Montaj
- Surface Mount
- Yayın Yılı
- 2001
- Pin Sayısı
- 8
- Access Time
- 6 ms
- Terminal Adımı
- 0.635mm
- Radyasyon Dayanımı
- No
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Data Retention Timemin
- 200
- Write Cycle Time Word Page
- 2ms
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Memory Size
- 1Kb 64 x 16
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Write Cycle Timemax Twc
- 2ms
- Uzunluk
- 4.5mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Interface
- SPI
- Pin Sayısı
- 8
- Memory Format
- EEPROM
- Additional Feature
- 1000000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Sayısı
- 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Power Supplies
- 5V
- Nominal Supply Current
- 2mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Serial Bus Type
- MICROWIRE
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tube
- Besleme Gerilimi
- 5V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory