Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Write Cycle Time Word Page
- 10ms
- Montaj Tipi
- Through Hole
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Write Cycle Timemax Twc
- 10ms
- Clock Frequency
- 2MHz
- Memory Size
- 4Kb 512 x 8 256 x 16
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Organization
- 256X16
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Terminal Adımı
- 2.54mm
- Montaj
- Through Hole
- Genişlik
- 7.62mm
- Yayın Yılı
- 2004
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 4.32mm
- Pin Sayısı
- 8
- Ambalaj
- Tube
- Besleme Gerilimi
- 3V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kılıf / Paket
- 8-DIP (0.300, 7.62mm)
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 28 Weeks
- Nominal Supply Current
- 2mA
- Temel Parça No
- 93AA66
- Alternate Memory Width
- 8
- Serial Bus Type
- MICROWIRE
- Density
- 4 kb
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- Not Applicable
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Interface
- Serial
- Additional Feature
- 1000K ERASE/WRITE CYCLE; 200 YEAR DATA RETENTION
- Memory Interface
- SPI
- Pin Sayısı
- 8
- Memory Format
- EEPROM
- Contact Plating
- Tin
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 8
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory