Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Ambalaj
- Tube
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Kılıf / Paket
- 8-DIP (0.300, 7.62mm)
- Parça Durumu
- Active
- Genişlik
- 6.35mm
- Yayın Yılı
- 2008
- Montaj
- Through Hole
- Yükseklik
- 3.3mm
- Access Time
- 200 ns
- Pin Sayısı
- 8
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Terminal Adımı
- 2.54mm
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Organization
- 256X16
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Data Retention Timemin
- 200
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Write Cycle Time Word Page
- 6ms
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 4Kb 512 x 8 256 x 16
- Clock Frequency
- 3MHz
- Write Protection
- SOFTWARE
- Write Cycle Timemax Twc
- 6ms
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 9.27mm
- Memory Interface
- SPI
- Pin Sayısı
- 8
- Memory Format
- EEPROM
- Contact Plating
- Tin
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 8
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Power Supplies
- 2/5V
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory