Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Write Cycle Time Word Page
- 10ms
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Memory Size
- 2Kb 256 x 8 128 x 16
- Clock Frequency
- 2MHz
- Write Cycle Timemax Twc
- 10ms
- Terminal Adımı
- 2.54mm
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 4.32mm
- Genişlik
- 7.62mm
- Yayın Yılı
- 2004
- Montaj
- Through Hole
- Access Time
- 2 μs
- Pin Sayısı
- 8
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tube
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 28 Weeks
- Kılıf / Paket
- 8-DIP (0.300, 7.62mm)
- Parça Durumu
- Active
- Temel Parça No
- 93AA56
- Alternate Memory Width
- 8
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Density
- 2 kb
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- Not Applicable
- Serial Bus Type
- MICROWIRE
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Interface
- Serial
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Memory Interface
- SPI
- Pin Sayısı
- 8
- Memory Format
- EEPROM
- Contact Plating
- Tin
- Additional Feature
- 1000K ERASE/WRITE CYCLE; 200 YEAR DATA RETENTION
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory