Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yayın Yılı
- 2004
- Pin Sayısı
- 8
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Data Retention Timemin
- 200
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Time Word Page
- 10ms
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Memory Size
- 1Kb 128 x 8 64 x 16
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Write Cycle Timemax Twc
- 10ms
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Terminal Adımı
- 2.54mm
- Organization
- 64X16
- Contact Plating
- Tin
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT APPLICABLE
- Usage Level
- Automotive grade
- Temel Parça No
- 93AA46
- Density
- 1 kb
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT APPLICABLE
- Yüzey Montaj
- NO
- Interface
- Serial
- Genişlik
- 6.35mm
- Screening Level
- TS 16949
- Yükseklik
- 3.3mm
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tube
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Kılıf / Paket
- 8-DIP (0.300, 7.62mm)
- Parça Durumu
- Active
- Qualification Status
- Not Qualified
- Memory Types
- Non-Volatile
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Clock Frequency
- 2MHz
- Write Protection
- SOFTWARE
- Standby Currentmax
- 0.00003A
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Pin Sayısı
- 8
- Memory Format
- EEPROM
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory