Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 9 Weeks
- Genişlik
- 3.9mm
- Organization
- 512X8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Memory Interface
- I2C
- Screening Level
- TS 16949
- Uzunluk
- 4.9mm
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Additional Feature
- IT ALSO HAS EEPROM BACKUP OF 512 X 8 BITS
- Access Time
- 400ns
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Clock Frequency
- 1MHz
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Memory Width
- 8
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Yüzey Montaj
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Density
- 4096 bit
- Temel Parça No
- 47L04
- Memory Size
- 4Kb 512 x 8
- Write Cycle Time Word Page
- 1ms
- Memory Types
- Non-Volatile
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Terminal Sayısı
- 8
- Usage Level
- Automotive grade
- Memory Format
- EERAM
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory