Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Interface
- I2C
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Screening Level
- TS 16949
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Additional Feature
- IT ALSO HAS EEPROM BACKUP OF 2K X 8 BITS
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Access Time
- 400ns
- Uzunluk
- 4.4mm
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 4.5V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Genişlik
- 3mm
- Organization
- 2KX8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Size
- 16Kb 2K x 8
- Memory Density
- 16384 bit
- Temel Parça No
- 47C16
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Write Cycle Time Word Page
- 1ms
- Memory Types
- Non-Volatile
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Usage Level
- Automotive grade
- Memory Format
- EERAM
- Terminal Sayısı
- 8
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Clock Frequency
- 1MHz
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 8
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Yüzey Montaj
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory