Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Nominal Supply Current
- 5mA
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Memory Format
- EEPROM
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Uzunluk
- 4.9mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Data Retention Timemin
- 200
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Interface
- SPI
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Size
- 8Kb 1K x 8
- Ambalaj
- Tube
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yüzey Montaj
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Density
- 8 kb
- Interface
- SPI, Serial
- Genişlik
- 3.9mm
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Pin Sayısı
- 8
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Temel Parça No
- 25LC080
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yükseklik
- 1.25mm
- Terminal Sayısı
- 8
- Access Time
- 230 ns
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory