Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 8
- Additional Feature
- 1M ENDURANCE CYCLE; 200 YEARS DATA RETENTION
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yayın Yılı
- 2001
- Clock Frequency
- 3MHz
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Parça Durumu
- Active
- Memory Width
- 8
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Pin Sayısı
- 8
- Memory Interface
- SPI
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Nominal Supply Current
- 5mA
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Memory Size
- 32Kb 4K x 8
- Terminal Sayısı
- 8
- Access Time
- 150 ns
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- ECCN Kodu
- EAR99
- Density
- 32 kb
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Data Retention Timemin
- 200
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Serial Bus Type
- SPI
- Memory Format
- EEPROM
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory