Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Data Retention Timemin
- 200
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Uzunluk
- 4.4mm
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Genişlik
- 3mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Sayısı
- 8
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Power Supplies
- 2/5V
- Memory Size
- 64Kb 8K x 8
- JESD-609 Kodu
- e3
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Width
- 8
- Serial Bus Type
- SPI
- Yayın Yılı
- 2004
- Fabrika Tedarik Süresi
- 5 Weeks
- Memory Format
- EEPROM
- Temel Parça No
- 25AA640
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Parça Durumu
- Active
- Density
- 64 kb
- Pin Sayısı
- 8
- Additional Feature
- 1000K ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Access Time
- 475 ns
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- ECCN Kodu
- EAR99
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Memory Interface
- SPI
- Pin Sayısı
- 8
- Clock Frequency
- 1MHz
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory