Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Uzunluk
- 4.9mm
- Data Retention Timemin
- 200
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Genişlik
- 3.9mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Power Supplies
- 2.5/5V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Memory Width
- 8
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Size
- 512Kb 64K x 8
- JESD-609 Kodu
- e3
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Density
- 512 kb
- Pin Sayısı
- 8
- Parça Durumu
- Active
- Memory Format
- EEPROM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Yayın Yılı
- 2010
- Serial Bus Type
- SPI
- Temel Parça No
- 25AA512
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- ECCN Kodu
- EAR99
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Access Time
- 250 ns
- Clock Frequency
- 20MHz
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Memory Interface
- SPI
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory