Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Data Retention Timemin
- 200
- Uzunluk
- 5.99mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Genişlik
- 4.92mm
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Terminal Sayısı
- 8
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Power Supplies
- 2/5V
- Kılıf / Paket
- 8-VDFN Exposed Pad
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Size
- 256Kb 32K x 8
- Qualification Status
- Not Qualified
- Memory Width
- 8
- Temel Parça No
- 25AA256
- Memory Format
- EEPROM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 5 Weeks
- Yayın Yılı
- 2013
- Serial Bus Type
- SPI
- Density
- 256 kb
- Pin Sayısı
- 8
- Parça Durumu
- Active
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Access Time
- 50 ns
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Pin Sayısı
- 8
- Memory Interface
- SPI
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory