Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kurşunsuz
- Lead Free
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Access Time
- 475 ns
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Additional Feature
- DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Sayısı
- 8
- Endurance
- 10000000 Write/Erase Cycles
- Temel Parça No
- 25AA080
- Memory Format
- EEPROM
- Yayın Yılı
- 2004
- Data Retention Timemin
- 200
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Serial Bus Type
- SPI
- Pin Sayısı
- 8
- Density
- 8 kb
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- JESD-609 Kodu
- e3
- Interface
- SPI, Serial
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Memory Size
- 8Kb 1K x 8
- Nominal Supply Current
- 5mA
- Montaj
- Surface Mount
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Width
- 8
- Memory Types
- Non-Volatile
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Pin Sayısı
- 8
- Contact Plating
- Tin
- Memory Interface
- SPI
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Adımı
- 1.27mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory