Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Genişlik
- 3mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Sayısı
- 8
- Data Retention Timemin
- 200
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Uzunluk
- 3mm
- Memory Size
- 8Kb 1K x 8
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Width
- 8
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Power Supplies
- 2/5V
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Access Time
- 160 ns
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- ECCN Kodu
- EAR99
- Serial Bus Type
- SPI
- Yayın Yılı
- 2007
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Memory Format
- EEPROM
- Temel Parça No
- 25AA080B
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.1mm
- Parça Durumu
- Active
- Density
- 8 kb
- Pin Sayısı
- 8
- Nominal Supply Current
- 6mA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Interface
- SPI, Serial
- Memory Types
- Non-Volatile
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory