Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Uzunluk
- 3mm
- Data Retention Timemin
- 200
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Terminal Sayısı
- 8
- Reach Svhc
- No SVHC
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Genişlik
- 3mm
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
- Power Supplies
- 2/5V
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Size
- 8Kb 1K x 8
- JESD-609 Kodu
- e3
- Parça Durumu
- Active
- Density
- 8 kb
- Pin Sayısı
- 8
- Serial Bus Type
- SPI
- Yayın Yılı
- 2007
- Memory Format
- EEPROM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Temel Parça No
- 25AA080B
- Yükseklik
- 850μm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- ECCN Kodu
- EAR99
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Access Time
- 160 ns
- Clock Frequency
- 10MHz
- Ambalaj
- Tube
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Interface
- SPI
- Contact Plating
- Tin
- Pin Sayısı
- 8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory