Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Genişlik
- 3.9mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Uzunluk
- 4.9mm
- Data Retention Timemin
- 200
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Width
- 8
- Memory Size
- 4Kb 512 x 8
- JESD-609 Kodu
- e3
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- ECCN Kodu
- EAR99
- Additional Feature
- DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Access Time
- 50 ns
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Parça Durumu
- Active
- Density
- 4 kb
- Pin Sayısı
- 8
- Serial Bus Type
- SPI
- Memory Format
- EEPROM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 3 Weeks
- Yayın Yılı
- 2009
- Temel Parça No
- 25AA040A
- Memory Types
- Non-Volatile
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Montaj
- Surface Mount
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nominal Supply Current
- 5mA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory