Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Data Retention Timemin
- 200
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Uzunluk
- 3mm
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Genişlik
- 2mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Sayısı
- 8
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- 8-VFDFN Exposed Pad
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 4Kb 512 x 8
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Width
- 8
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Serial Bus Type
- SPI
- Yayın Yılı
- 2009
- Fabrika Tedarik Süresi
- 2 Weeks
- Memory Format
- EEPROM
- Temel Parça No
- 25AA040A
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Parça Durumu
- Active
- Density
- 4 kb
- Pin Sayısı
- 8
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Additional Feature
- DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES
- Access Time
- 50 ns
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- ECCN Kodu
- EAR99
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Interface
- SPI
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Pin Sayısı
- 8
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Clock Frequency
- 10MHz
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory