Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Data Retention Timemin
- 200
- Uzunluk
- 4.9mm
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Genişlik
- 3.9mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Terminal Sayısı
- 8
- Reach Svhc
- No SVHC
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Usage Level
- Industrial grade
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Size
- 2Kb 256 x 8
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Width
- 8
- Temel Parça No
- 25AA02E48
- Serial Bus Type
- SPI
- Yayın Yılı
- 2008
- Memory Format
- EEPROM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- Parça Durumu
- Active
- Density
- 2 kb
- Pin Sayısı
- 8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Access Time
- 50 ns
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Contact Plating
- Tin
- Pin Sayısı
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Interface
- SPI
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory